Samsung ka deklaruar se ka nisur prodhimin në masë për gjeneratën e V të memories NAND.Pritet që kjo gjeneratë të arrijë shpejtësi marramendëse deri në 1.4 Gbps dhe ka më shumë se 90 shtresa qelizash për të dhënat.,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
Samsung gjithashtu do të ndryshoj teknologjinë që do të përdoret në QLC(quad level cell).Çipet NAND QLC kanë një densitet shumë te lartë dhe do ofrojnë edhe më shumë shpejtësi,për momentin do të perdoren në pajisjet enterprise por pritet që me vonë të përdoren në kategorinë e konsumatorit.,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
Pajisjet 250Gb V-NAND të gjeneratës së pestë do të perdorin një ndërfaqe që quhet “Toggle DDR 4.0”,e cila do të rrisë shpejtësinë asinkrone të transferimit të të dhenave dhe kjo rritje e shpejtësisë pritet të jetë deri në 40% më shumë se ajo e gjeneratës paraardhëse me 64 shtresa qelizash.,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
Duhet të kemi parasysh që me rritjen e biteve për qelizë gjithashtu do të kemi një ulje ne sigurinë e punimit të pajisjeve në nivele të larta për një kohë të gjatë.Mund të shohim si shembull pse TLC 3D NAND qëndrojnë më poshtë se SLC dhe MLC dhe aryseja është rritja e biteve për qelizë ,por me kalimin e kohës nëse çmimet e SSD do të ulen atëherë do të ishte nje ujdi me leverdi dhe me shumë shpresë HDD do të zëvendësohen në çdo ndërtim PC.